內存條 內存條

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\"內存條是連接CPU和其他設備的通道，起到緩沖和數據交換作用。當CPU在工作時，需要從硬盤等外部存儲器上讀取數據，但由於硬盤這個“倉庫”太大，加上離CPU也很“遠”，運輸“原料”數據的速度就比較慢，導致CPU的生產效率大打折扣！為瞭解決這個問題，人們便在CPU與外部存儲器之間，建了一個“小倉庫”—內存。\\n\\n內存是電腦必不可少的組成部分之一，CPU可通過數據總線對內存尋址。以前的電腦主機板上有主內存，內存條是主內存的擴展。現在的電腦主機板，內存完全依賴內存條。所有外存上的內容必須通過內存才能發揮作用。雖然某些情況下需要在內存中建立虛擬盤，但在電腦中內存通常不起數據倉庫的作用。\\n\\n內存的作用與分類\\n\\n內存的作用\\n\\n內存條\\n\\n內存條內存是電腦中的主要部件，它是相對於外存而言的。我們平常使用的程\\n\\n序，如WindowsXP係統、打字軟件、遊戲軟件等，一般都是安裝在硬盤等外存上的，但僅此是不能使用其功能的，必須把它們調入內存中運行，才能真正使用其功能，我們平時輸入一段文字，或玩一個遊戲，其實都是在內存中進行的。通常我們把要永久儲存的、大量的數據存儲在外存上，而把一些臨時的或少量的數據和程式放在內存上。\\n\\n內存的分類\\n\\nDDR內存條\\n\\nDDR內存條內存分為DRAM和ROM兩種，前者又叫動態隨機存儲器，它的一個主要\\n\\n特征是斷電後數據會丟失，我們平時說的內存就是指這一種；後者又叫隻讀存儲器，我們平時開機首先啟動的是存於主機板上ROM中的BIOS程式，然後再由它去調用硬盤中的Windows，ROM的一個主要特征是斷電後數據不會丟失。\\n\\n根據內存條上的引腳多少，我們可以把內存條分為30線、72線、168線等幾種。30線與72線的內存條又稱為單列存儲器模塊SIMM，(SIMM就是一種兩側金手指都提供相同信號的內存結構，)168線的內存條又稱為雙列存儲器模塊DIMM。目前30線內存條已經冇有了；前兩年的流行品種是72線的內存條，其容量一般有4兆、8兆、16兆和32兆等幾種；目前市場的主流品種是168線內存條，168線內存條的容量一般有16兆、32兆、64兆、128兆等幾種，一般的電腦插一條就OK了，不過，隻有基於VX、TX、BX晶片組的主機板才支援168線的內存條。\\n\\n什麼是EDO和SDRAM\\n\\n前麵我們已經按引腳數的多少把內存條分為30、72和168線等幾種，其實，它們在結構和效能上還有著本質的區彆。\\n\\n內存的安裝詳解[2]\\n\\n內存的安裝詳解[2] 譬如，72線內存條是一種EDO內存，而現今主流的168線內存條幾乎\\n\\n清一色又都是SDRAM內存；目前，EDO內存的存取速度基本保持在60納秒左右，能夠適應75兆赫茲的外頻，但跑83兆赫茲則有點勉為其難了；而SDRAM內存的存取速度一般能達到10納秒左右，能夠適應100兆赫茲以上的外頻。所以從97年底起EDO內存已逐步被SDRAM所取代，至今，幾乎已無人再用EDO來裝機了，隻有升級擴充舊電腦內存時還用得著它。\\n\\n其實，EDO內存被SDRAM所取代有其必然性，因為，目前市場上主流CPU的主頻已高達450兆赫茲，未來CPU的主頻還會越來越高。但由於傳統內存條的讀寫速度遠遠跟不上CPU的速度，迫使CPU插入等待指令週期，從而大大降低了電腦的整體效能。為了緩解這個內存瓶頸的問題，我們就必須采用新的內存結構，即SDRAM。因為，從理論上說，SDRAM與CPU頻率同步，共享一個時鐘週期。SDRAM內含兩個交錯的存儲陣列，當CPU從一個存儲陣列訪問數據的同時，另一個已準備好讀寫數據，通過兩個存儲陣列的緊密切換，讀取效率得到成倍提高。目前，最新的SDRAM的存儲速度已高達5納秒，所以，SDRAM已成為近期內存發展的主流。\\n\\n當然，EDO內存也並冇有完全舉手投降，相反，憑藉其出色的視頻特性和低廉的價格，在顯示內存等領域仍\\n\\n內存條[3]\\n\\n是連\\n\\n內存條[3]連得手，眾多低檔顯卡更是無一例外地采用EDO內存。另外，許多硬\\n\\n盤、光驅和列印機也是采用EDO緩存，可見，EDO內存還真是寶刀不老啊！\\n\\nRAM有些像教室裡的黑板，上課時老師不斷地往黑板上麵寫東西，下課以後全部擦除。RAM要求每時每刻都不斷地供電，否則數據會丟失。如果在關閉電源以後RAM中的數據也不丟失就好了，這樣就可以在每一次開機時都保證電腦處於上一次關機的狀態，而不必每次都重新啟動電腦，重新打開應用程式了。但是RAM要求不斷的電源供應，那有冇有辦法解決這個問題呢?隨著技術的進步，人們想到了一個辦法，即給RAM供應少量的電源保持RAM的數據不丟失，這就是電腦的待機功能，特彆在Win2000裡這個功能得到了很好的應用，休眠時電源處於連接狀態，但是耗費少量的電能。\\n\\n按內存條的介麵形式，常見內存條有兩種：單列直插內存條（SIMM），和雙列直插內存條（DIMM）。SIMM內存條分為30線，72線兩種。DIMM內存條與SIMM內存條相比引腳增加到168線。DIMM可單條使用，不同容量可混合使用，SIMM必須成對使用。\\n\\n按內存的工作方式，內存又有FPAEDODRAM和SDRAM（同步動態RAM）等形式。\\n\\nthinkpad原裝內存條\\n\\nthinkpad原裝內存條FPM（FASTPAGEMODE）RAM快速頁麵模式隨機存取存儲器：這是\\n\\n較早的電腦係統普通使用的內存，它每隔三個時鐘脈衝週期傳送一次數據。\\n\\nEDO（EXTENDEDDATAOUT）RAM\\n\\n擴展數據輸出隨機存取存儲器：EDO內存取消了主機板與內存兩個存儲週期之間的時間間隔，他每個兩個時鐘脈衝週期輸出一次數據，大大地縮短了存取時間，使存儲速度提高30%。EDO一般是72腳，EDO內存已經被SDRAM所取代。\\n\\nS（SYSNECRONOUS）DRAM\\n\\n同步動態隨機存取存儲器：SDRAM為168腳，這是目前PENTIUM及以上機型使用的內存。SDRAM將CPU與RAM通過一個相同的時鐘鎖在一起，使CPU和RAM能夠共享一個時鐘週期，以相同的速度同步工作，每一個時鐘脈衝的上升沿便開始傳遞數據，速度比EDO內存提高50%。\\n\\nDDR（DOUBLEDATARAGE）RAM\\n\\nSDRAM的更新換代產品，他允許在時鐘脈衝的上升沿和下降沿傳輸數據，這樣不需要提高時鐘的頻率就能\\n\\n內存條\\n\\n加倍\\n\\n內存條提高SDRAM的速度。\\n\\nRDRAM（RAMBUSDRAM）存儲器總線式動態隨機存取存儲器；RDRAM是RAMBUS公司開發的具有係統帶寬，晶片到晶片介麵設計的新型DRAM，他能在很高的頻率範圍內通過一個簡單的總線傳輸數據。他同時使用低電壓信號，在高速同步時鐘脈衝的兩邊沿傳輸數據。INTEL將在其820晶片組產品中加入對RDRAM的支援。\\n\\n內存的參數主要有兩個：存儲容量和存取時間。存儲容量越大，電腦能記憶的資訊越多。存取時間則以納秒（NS）為單位來計算。一納秒等於10^-9秒。數字越小，表明內存的存取速度越快。\\n\\n誕生\\n\\n內存條的誕生\\n\\n內存晶片的狀態一直沿用到286初期，鑒於它存在著無法拆卸更換的弊病，這對於計算機的發展造成了現實的阻礙。有鑒於此，內存條便應運而生了。將內存晶片焊接到事先設計好的印刷線路板上，而電腦主機板上也改用內存插槽。這樣就把內存難以安裝更換的問題徹底解決了。\\n\\n在80286主機板釋出之前，內存並冇有被世人所重視，這個時候的內存是直接固化在主機板上，而且容量隻有64～256KB，對於當時PC所運行的工作程式來說，這種內存的效能以及容量足以滿足當時軟件程式的處理需要。不過隨著軟件程式和新一代80286硬體平台的出現，程式和硬體對內存效能提出了更高要求，為了提高速度並擴大容量，內存必須以獨立的封裝形式出現，因而誕生了“內存條”概念。\\n\\n在80286主機板剛推出的時候，內存條采用了SIMM（SingleIn-lineMemoryModules，單邊接觸內存模組）介麵，容量為30pin、256kb，必須是由8片數據位和1片校驗位組成1個bank，正因如此，我們見到的30pinSIMM一般是四條一起使用。自1982年PC進入民用市場一直到現在，搭配80286處理器的30pinSIMM內存是內存領域的開山鼻祖。\\n\\n內存條\\n\\n內存條隨後，在1988～1990年當中，PC技術迎來另一個發展高峰，也就是\\n\\n386和486時代，此時CPU已經向16bit發展，所以30pinSIMM內存再也無法滿足需求，其較低的內存帶寬已經成為急待解決的瓶頸，所以此時72pinSIMM內存出現了，72pinSIMM支援32bit快速頁模式內存，內存帶寬得以大幅度提升。72pinSIMM內存單條容量一般為512KB～2MB，而且僅要求兩條同時使用，由於其與30pinSIMM內存無法相容，因此這個時候PC業界毅然將30pinSIMM內存淘汰出局了。\\n\\n內存條\\n\\n內存條EDODRAM（ExtendedDateOutRAM，外擴充數據模式存儲器）內\\n\\n存，這是1991年到1995年之間盛行的內存條，EDO-RAM同FPDRAM極其相似，它取消了擴展數據輸出內存與傳輸內存兩個存儲週期之間的時間間隔，在把數據發送給CPU的同時去訪問下一個頁麵，故而速度要比普通DRAM快15~30%。工作電壓為一般為5V，帶寬32bit，速度在40ns以上，其主要應用在當時的486及早期的Pentium電腦上。\\n\\n在1991年到1995年中，讓我們看到一個尷尬的情況，那就是這幾年內存技術發展比較緩慢，幾乎停滯不前，所以我們看到此時EDORAM有72pin和168pin並存的情況，事實上EDO內存也屬於72pinSIMM內存的範疇，不過它采用了全新的尋址方式。EDO在成本和容量上有所突破，憑藉著製作工藝的飛速發展，此時單條EDO內存的容量已經達到4～16MB。由於Pentium及更高級彆的CPU數據總線寬度都是64bit甚至更高，所以EDORAM與FPMRAM都必須成對使用。\\n\\nSDRAM時代\\n\\n自IntelCeleron係列以及AMDK6處理器以及相關的主機板晶片組推出後，EDODRAM內存效能再也無法滿足需要了，內存技術必須徹底得到個革新才能滿足新一代CPU架構的需求，此時內存開始進入比較經典的SDRAM時代。\\n\\n第一代SDRAM內存為PC66規範，但很快由於Intel和AMD的頻率之爭將CPU外頻提升到了100MHz，所以PC66內存很快就被PC100內存取代，接著133MHz外頻的PIII以及K7時代的來臨，PC133規範也以相同的方式進一步提升SDRAM的整體效能，帶寬提高到1GB\\/sec以上。由於SDRAM的帶寬為64bit，正好對應CPU的64bit數據總線寬度，因此它隻需要一條內存便可工作，便捷性進一步提高。在效能方麵，由於其輸入輸出信號保持與係統外頻同步，因此速度明顯超越EDO內存。\\n\\n不可否認的是，SDRAM內存由早期的66MHz，發展後來的100MHz、133MHz，儘管冇能徹底解決內存帶寬的瓶頸問題，但此時CPU超頻已經成為DIY用戶永恒的話題，所以不少用戶將品牌好的PC100品牌內存超頻到133MHz使用以獲得CPU超頻成功，值得一提的是，為了方便一些超頻用戶需求，市場上出現了一些PC150、PC166規範的內存。\\n\\n儘管SDRAMPC133內存的帶寬可提高帶寬到1064MB\\/S，加上Intel已經開始著手最新的Pentium4計劃，所以SDRAMPC133內存不能滿足日後的發展需求，此時，Intel為了達到獨占市場的目的，與Rambus聯合在PC市場推廣RambusDRAM內存（稱為RDRAM內存）。與SDRAM不同的是，其采用了新一代高速簡單內存架構，基於一種類RISC(ReducedInstructionSetComputing，精簡指令集計算機)理論，這個理論可以減少數據的複雜性，使得整個係統效能得到提高。\\n\\n在AMD與Intel的競爭中，這個時候是屬於頻率競備時代，所以這個時候CPU的主頻在不斷提升，Intel為了蓋過AMD，推出高頻PentiumⅢ以及Pentium4處理器，因此RambusDRAM內存是被Intel看著是未來自己的競爭殺手鐧，RambusDRAM內存以高時鐘頻率來簡化每個時鐘週期的數據量，因此內存帶寬相當出色，如PC10661066MHz32bits帶寬可達到4.2GByte\\/sec，RambusDRAM曾一度被認為是Pentium4的絕配。\\n\\n儘管如此，RambusRDRAM內存生不逢時，後來依然要被更高速度的DDR“掠奪”其寶座地位，在當時，PC600、PC700的RambusRDRAM內存因出現Intel820晶片組“失誤事件”、PC800RambusRDRAM因成本過高而讓Pentium4平台高高在上，無法獲得大眾用戶擁戴，種種問題讓RambusRDRAM胎死腹中，Rambus曾希望具有更高頻率的PC1066規範RDRAM來力挽狂瀾，但最終也是拜倒在DDR內存麵前。\\n\\nDDR時代\\n\\n內存條\\n\\nDDRSDRAM(DualDateRateSDRAM)簡稱DDR，也就是“雙倍速率SDRAM“的意思。DDR可以說是SD\\n\\n內存條\\n\\nRAM的升級版本，DDR在時鐘信號上升沿與下降沿各傳輸一次數據，這使得DDR的數據傳輸速度為傳統SDRAM的兩倍。由於僅多采用了下降緣信號，因此並不會造成能耗增加。至於定址與控製信號則與傳統SDRAM相同，僅在時鐘上升緣傳輸。\\n\\nDDR內存是作為一種在效能與成本之間折中的解決方案，其目的是迅速建立起牢固的市場空間，繼而一步步在頻率上高歌猛進，最終彌補內存帶寬上的不足。第一代DDR200規範並冇有得到普及，第二代PC266DDRSRAM（133MHz時鐘×2倍數據傳輸=266MHz帶寬）是由PC133SDRAM內存所衍生出的，它將DDR內存帶向第一個**，目前還有不少賽揚和AMDK7處理器都在采用DDR266規格的內存，其後來的DDR333內存也屬於一種過度，而DDR400內存成為目前的主流平台選配，雙通道DDR400內存已經成為800FSB處理器搭配的基本標準，隨後的DDR533規範則成為超頻用戶的選擇對象。\\n\\nDDR2時代\\n\\n隨著CPU效能不斷提高，我們對內存效能的要求也逐步升級。不可否認，緊緊依高頻率提升帶寬的DDR遲早會力不從心，因此JEDEC組織很早就開始醞釀DDR2標準，加上LGA775介麵的915\\/925以及最新的945等新平台開始對DDR2內存的支援，所以DDR2內存將開始演義內存領域的今天。\\n\\nDDR2能夠在100MHz的發信頻率基礎上提供每插腳最少400MB\\/s的帶寬，而且其介麵將運行於1.8V電壓上，從而進一步降低發熱量，以便提高頻率。此外，DDR2將融入CAS、OCD、ODT等新效能指標和中斷指令，提升內存帶寬的利用率。從JEDEC組織者闡述的DDR2標準來看，針對PC等市場的DDR2內存將擁有400、533、667MHz等不同的時鐘頻率。高階的DDR2內存將擁有800、1000MHz兩種頻率。DDR-II內存將采用200-、220-、240-針腳的FBGA封裝形式。最初的DDR2內存將采用0.13微米的生產工藝，內存顆粒的電壓為1.8V，容量密度為512MB。\\n\\n內存技術在2005年將會毫無懸念，SDRAM為代表的靜態內存在五年內不會普及。QBM與RDRAM內存也難以挽回頹勢，因此DDR與DDR2共存時代將是鐵定的事實。\\n\\nPC-100的“接班人”除了PC一133以外，VCM(VirXualChannelMemory)也是很重要的一員。VCM即“虛擬通道存儲器”，這也是目前大多數較新的晶片組支援的一種內存標準，VCM內存主要根據由NEC公司開發的一種“緩存式DRAM”技術製造而成，它整合了“通道緩存”，由高速暫存器進行配置和控製。在實現高速數據傳輸的同時，VCM還維持著對傳統SDRAM的高度相容性，所以通常也把VCM內存稱為VCMSDRAM。VCM與SDRAM的差彆在於不論是否經過CPU處理的數據，都可先交於VCM進行處理，而普通的SDRAM就隻能處理經CPU處理以後的數據，所以VCM要比SDRAM處理數據的速度快20%以上。目前可以支援VCMSDRAM的晶片組很多，包括：Intel的815E、VIA的694X等。\\n\\n3．RDRAM\\n\\nIntel在推出：PC-100後，由於技術的發展，PC-100內存的800MB\\/s帶寬已經不能滿足需求，而PC-133的帶寬提高並不大(1064MB\\/s)，同樣不能滿足日後的發展需求。Intel為了達到獨占市場的目的，與Rambus公司聯合在PC市場推廣RambusDRAM(DirectRambusDRAM)，如圖4-3所示。\\n\\nRambusDRAM是：Rambus公司最早提出的一種內存規格，采用了新一代高速簡單內存架構，基於一種RISC(ReducedInstructionSetComputing，精簡指令集計算機)理論，從而可以減少數據的複雜性，使得整個係統效能得到提高。Rambus使用400MHz的16bit總線，在一個時鐘週期內，可以在上升沿和下降沿的同時傳輸數據，這樣它的實際速度就為400MHz×2=800MHz，理論帶寬為(16bit×2×400MHz\\/8)1.6GB\\/s，相當於PC-100的兩倍。另外，Rambus也可以儲存9bit字節，額外的一位元是屬於保留位元，可能以後會作為：ECC(ErroI·CheckingandCorrection，錯誤檢查修正)校驗位。Rambus的時鐘可以高達400MHz，而且僅使用了30條銅線連接內存控製器和RIMM(RambusIn-lineMemoryModules，Rambus內嵌式內存模塊)，減少銅線的長度和數量就可以降低數據傳輸中的電磁乾擾，從而快速地提高內存的工作頻率。不過在高頻率下，其發出的熱量肯定會增加，因此第一款Rambus內存甚至需要自帶散熱風扇。\\n\\nDDR3時代\\n\\nDDR3相比起DDR2有更低的工作電壓，從DDR2的1.8V降落到1.5V，效能更好更為省電；DDR2的4bit預讀升級為8bit預讀。DDR3目前最高能夠1600Mhz的速度，由於目前最為快速的DDR2內存速度已經提升到800Mhz\\/1066Mhz的速度，因而首批DDR3內存模組將會從1333Mhz的起跳。在Computex大展我們看到多個內存廠商展出1333Mhz的DDR3模組。\\n\\nDDR3在DDR2基礎上采用的新型設計：\\n\\n1．8bit預取設計，而DDR2為4bit預取，這樣DRAM內核的頻率隻有介麵頻率的1\\/8，DDR3-800的核心工作頻率隻有100MHz。\\n\\n2．采用點對點的拓撲架構，以減輕地址\\/命令與控製總線的負擔。\\n\\n3．采用100nm以下的生產工藝，將工作電壓從1.8V降至1.5V，增加異步重置（Reset）與ZQ校準功能。\\n\\n內存條種類之間的區彆\\n\\nDDR2與DDR的區彆\\n\\n與DDR相比，DDR2最主要的改進是在內存模塊速度相同的情況下，可以提供相當於DDR內存兩倍的帶寬。這主要是通過在每個設備上高效率使用兩個DRAM核心來實現的。作為對比，在每個設備上DDR內存隻能夠使用一個DRAM核心。技術上講，DDR2內存上仍然隻有一個DRAM核心，但是它可以並行存取，在每次存取中處理4個數據而不是兩個數據。\\n\\n與雙倍速運行的數據緩衝相結合，DDR2內存實現了在每個時鐘週期處理多達4bit的數據，比傳統DDR內存可以處理的2bit數據高了一倍。DDR2內存另一個改進之處在於，它采用FBGA封裝方式替代了傳統的TSOP方式。\\n\\n然而，儘管DDR2內存采用的DRAM核心速度和DDR的一樣，但是我們仍然要使用新主機板才能搭配DDR2內存，因為DDR2的物理規格和DDR是不相容的。首先是介麵不一樣，DDR2的針腳數量為240針，而DDR內存為184針；其次，DDR2內存的VDIMM電壓為1.8V，也和DDR內存的2.5V不同。\\n\\nDDR2的定義：\\n\\nDDR2（DoubleDataRate2）SDRAM是由JEDEC（電子設備工程聯合委員會）進行開發的新生代內存技術標準，它與上一代DDR內存技術標準最大的不同就是，雖然同是采用了在時鐘的上升\\/下降延同時進行數據傳輸的基本方式，但DDR2內存卻擁有兩倍於上一代DDR內存預讀取能力（即：4bit數據讀預取）。換句話說，DDR2內存每個時鐘能夠以4倍外部總線的速度讀\\/寫數據，並且能夠以內部控製總線4倍的速度運行。\\n\\n此外，由於DDR2標準規定所有DDR2內存均采用FBGA封裝形式，而不同於目前廣泛應用的TSOP\\/TSOP-II封裝形式，FBGA封裝可以提供了更為良好的電氣效能與散熱性，為DDR2內存的穩定工作與未來頻率的發展提供了堅實的基礎。回想起DDR的發展曆程，從第一代應用到個人電腦的DDR200經過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術，第一代DDR的發展也走到了技術的極限，已經很難通過常規辦法提高內存的工作速度；隨著Intel最新處理器技術的發展，前端總線對內存帶寬的要求是越來越高，擁有更高更穩定運行頻率的DDR2內存將是大勢所趨。\\n\\n在瞭解DDR2內存諸多新技術前，先讓我們看一組DDR和DDR2技術對比的數據。\\n\\n1．延遲問題：\\n\\n從上表可以看出，在同等核心頻率下，DDR2的實際工作頻率是DDR的兩倍。這得益於DDR2內存擁有兩倍於標準DDR內存的4BIT預讀取能力。換句話說，雖然DDR2和DDR一樣，都采用了在時鐘的上升延和下降延同時進行數據傳輸的基本方式，但DDR2擁有兩倍於DDR的預讀取係統命令數據的能力。也就是說，在同樣100MHz的工作頻率下，DDR的實際頻率為200MHz，而DDR2則可以達到400MHz。\\n\\n這樣也就出現了另一個問題：在同等工作頻率的DDR和DDR2內存中，後者的內存延時要慢於前者。舉例來說，DDR200和DDR2-400具有相同的延遲，而後者具有高一倍的帶寬。實際上，DDR2-400和DDR400具有相同的帶寬，它們都是3.2GB\\/s，但是DDR400的核心工作頻率是200MHz，而DDR2-400的核心工作頻率是100MHz，也就是說DDR2-400的延遲要高於DDR400。\\n\\n2．封裝和發熱量：\\n\\nDDR2內存技術最大的突破點其實不在於用戶們所認為的兩倍於DDR的傳輸能力，而是在采用更低發熱量、更低功耗的情況下，DDR2可以獲得更快的頻率提升，突破標準DDR的400MHZ限製。\\n\\nDDR內存通常采用TSOP晶片封裝形式，這種封裝形式可以很好的工作在200MHz上，當頻率更高時，它過長的管腳就會產生很高的阻抗和寄生電容，這會影響它的穩定性和頻率提升的難度。這也就是DDR的核心頻率很難突破275MHZ的原因。而DDR2內存均采用FBGA封裝形式。不同於目前廣泛應用的TSOP封裝形式，FBGA封裝提供了更好的電氣效能與散熱性，為DDR2內存的穩定工作與未來頻率的發展提供了良好的保障。\\n\\nDDR2內存采用1.8V電壓，相對於DDR標準的2.5V，降低了不少，從而提供了明顯的更小的功耗與更小的發熱量，這一點的變化是意義重大的。\\n\\nDDR2采用的新技術：\\n\\n除了以上所說的區彆外，DDR2還引入了三項新的技術，它們是OCD、ODT和PostCAS。\\n\\nOCD（Off-ChipDriver）：也就是所謂的離線驅動調整，DDRII通過OCD可以提高信號的完整性。DDRII通過調整上拉（pull-up）\\/下拉（pull-down）的電阻值使兩者電壓相等。使用OCD通過減少DQ-DQS的傾斜來提高信號的完整性；通過控製電壓來提高信號品質。\\n\\nODT：ODT是內建核心的終結電阻器。我們知道使用DDRSDRAM的主機板上麵為了防止數據線終端反射信號需要大量的終結電阻。它大大增加了主機板的製造成本。實際上，不同的內存模組對終結電路的要求是不一樣的，終結電阻的大小決定了數據線的信號比和反射率，終結電阻小則數據線信號反射低但是訊雜比也較低；終結電阻高，則數據線的訊雜比高，但是信號反射也會增加。因此主機板上的終結電阻並不能非常好的匹配內存模組，還會在一定程度上影響信號品質。DDR2可以根據自己的特點內建合適的終結電阻，這樣可以保證最佳的信號波形。使用DDR2不但可以降低主機板成本，還得到了最佳的信號品質，這是DDR不能比擬的。\\n\\nPostCAS：它是為了提高DDRII內存的利用效率而設定的。在PostCAS操作中，CAS信號（讀寫\\/命令）能夠被插到RAS信號後麵的一個時鐘週期，CAS命令可以在附加延遲（AdditiveLatency）後麵保持有效。原來的tRCD（RAS到CAS和延遲）被AL（AdditiveLatency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中進行設置。由於CAS信號放在了RAS信號後麵一個時鐘週期，因此ACT和CAS信號永遠也不會產生碰撞衝突。\\n\\n總的來說，DDR2采用了諸多的新技術，改善了DDR的諸多不足，雖然它目前有成本高、延遲慢能諸多不足，但相信隨著技術的不斷提高和完善，這些問題終將得到解決。\\n\\nDDR3與DDR2幾個主要的不同之處\\n\\n1．突髮長度（BurstLength，BL）\\n\\n由於DDR3的預取為8bit，所以突發傳輸週期（BurstLength，BL）也固定為8，而對於DDR2和早期的DDR架構係統，BL=4也是常用的，DDR3為此增加了一個4bitBurstChop（突發突變）模式，即由一個BL=4的讀取操作加上一個BL=4的寫入操作來合成一個BL=8的數據突發傳輸，屆時可通過A12地址線來控製這一突發模式。而且需要指出的是，任何突發中斷操作都將在DDR3內存中予以禁止，且不予支援，取而代之的是更靈活的突發傳輸控製（如4bit順序突發）。\\n\\n2．尋址時序（Timing）\\n\\n就像DDR2從DDR轉變而來後延遲週期數增加一樣，DDR3的CL週期也將比DDR2有所提高。DDR2的CL範圍一般在2～5之間，而DDR3則在5～11之間，且附加延遲（AL）的設計也有所變化。DDR2時AL的範圍是0～4，而DDR3時AL有三種選項，分彆是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3還新增加了一個時序參數——寫入延遲（CWD），這一參數將根據具體的工作頻率而定。\\n\\n3．DDR3新增的重置（Reset）功能\\n\\n重置是DDR3新增的一項重要功能，併爲此專門準備了一個引腳。DRAM業界很早以前就要求增加這一功能，如今終於在DDR3上實現了。這一引腳將使DDR3的初始化處理變得簡單。當Reset命令有效時，DDR3內存將停止所有操作，並切換至最少量活動狀態，以節約電力。\\n\\n在Reset期間，DDR3內存將關閉內在的大部分功能，所有數據接收與發送器都將關閉，所有內部的程式裝置將複位，DLL（延遲鎖相環路）與時鐘電路將停止工作，而且不理睬數據總線上的任何動靜。這樣一來，將使DDR3達到最節省電力的目的。\\n\\n4．DDR3新增ZQ校準功能\\n\\nZQ也是一個新增的腳，在這個引腳上接有一個240歐姆的低公差參考電阻。這個引腳通過一個命令集，通過片上校準引擎（On-DieCalibrationEngine，ODCE）來自動校驗數據輸出驅動器導通電阻與ODT的終結電阻值。當係統發出這一指令後，將用相應的時鐘週期（在加電與初始化之後用512個時鐘週期，在退出自重新整理操作後用256個時鐘週期、在其他情況下用64個時鐘週期）對導通電阻和ODT電阻進行重新校準。\\n\\n5．參考電壓分成兩個\\n\\n在DDR3係統中，對於內存係統工作非常重要的參考電壓信號VREF將分為兩個信號，即為命令與地址信號服務的VREFCA和為數據總線服務的VREFDQ，這將有效地提高係統數據總線的信噪等級。\\n\\n6．點對點連接（Point-to-Point，P2P）\\n\\n這是為了提高係統效能而進行的重要改動，也是DDR3與DDR2的一個關鍵區彆。在DDR3係統中，一個內存控製器隻與一個內存通道打交道，而且這個內存通道隻能有一個插槽，因此，內存控製器與DDR3內存模組之間是點對點（P2P）的關係（單物理Bank的模組），或者是點對雙點（Point-to-two-Point，P22P）的關係（雙物理Bank的模組），從而大大地減輕了地址\\/命令\\/控製與數據總線的負載。而在內存模組方麵，與DDR2的類彆相類似，也有標準DIMM（台式PC）、SO-DIMM\\/Micro-DIMM（筆記本電腦）、FB-DIMM2（服務器）之分，其中第二代FB-DIMM將采用規格更高的AMB2（高級內存緩衝器）。\\n\\n7．邏輯Bank數量\\n\\nDDR2SDRAM中有4Bank和8Bank的設計，目的就是為了應對未來大容量晶片的需求。而DDR3很可能將從2Gb容量起步，因此起始的邏輯Bank就是8個，另外還為未來的16個邏輯Bank做好了準備。\\n\\n8．根據溫度自動自重新整理（SRT，Self-RefreshTemperature）\\n\\n為了保證所儲存的數據不丟失，DRAM必須定時進行重新整理，DDR3也不例外。不過，為了最大的節省電力，DDR3采用了一種新型的自動自重新整理設計（ASR，AutomaticSelf-Refresh）。當開始ASR之後，將通過一個內置於DRAM晶片的溫度傳感器來控製重新整理的頻率，因為重新整理頻率高的話，消電就大，溫度也隨之升高。而溫度傳感器則在保證數據不丟失的情況下，儘量減少重新整理頻率，降低工作溫度。不過DDR3的ASR是可選設計，並不見得市場上的DDR3內存都支援這一功能，因此還有一個附加的功能就是自重新整理溫度範圍（SRT，Self-RefreshTemperature）。通過模式暫存器，可以選擇兩個溫度範圍，一個是普通的的溫度範圍（例如0℃至85℃），另一個是擴展溫度範圍，比如最高到95℃。對於DRAM內部設定的這兩種溫度範圍，DRAM將以恒定的頻率和電流進行重新整理操作。\\n\\n9．區域性自重新整理（RASR，PartialArraySelf-Refresh）\\n\\n這是DDR3的一個可選項，通過這一功能，DDR3內存晶片可以隻重新整理部分邏輯Bank，而不是全部重新整理，從而最大限度的減少因自重新整理產生的電力消耗。這一點與移動型內存（MobileDRAM）的設計很相似。\\n\\n10．封裝（Packages）\\n\\nDDR3由於新增了一些功能，所以在引腳方麵會有所增加，8bit晶片采用78球FBGA封裝，16bit晶片采用96球FBGA封裝，而DDR2則有60\\/68\\/84球FBGA封裝三種規格。並且DDR3必須是綠色封裝，不能含有任何有害物質。\\n\\n麵向64位構架的DDR3顯然在頻率和速度上擁有更多的優勢，此外，由於DDR3所采用的根據溫度自動自重新整理、區域性自重新整理等其它一些功能，在功耗方麵DDR3也要出色得多，因此，它可能首先受到移動設備的歡迎，就像最先迎接DDR2內存的不是台式機而是服務器一樣。在CPU外頻提升最迅速的PC台式機領域，DDR3未來也是一片光明。目前Intel預計在明年第二季所推出的新晶片-熊湖(BearLake)，其將支援DDR3規格，而AMD也預計同時在K9平台上支援DDR2及DDR3兩種規格。\\n\\n內存異步工作模式包含多種意義，在廣義上凡是內存工作頻率與CPU的外頻不一致時都可以稱為內存異步工作模式。首先，最早的內存異步工作模式出現在早期的主機板晶片組中，可以使內存工作在比CPU外頻高33MHz或者低33MHz的模式下(注意隻是簡單相差33MHz)，從而可以提高係統內存效能或者使老內存繼續發揮餘熱。其次，在正常的工作模式(CPU不超頻)下，目前不少主機板晶片組也支援內存異步工作模式，例如Intel910GL晶片組，僅僅隻支援533MHzFSB即133MHz的CPU外頻，但卻可以搭配工作頻率為133MHz的DDR266、工作頻率為166MHz的DDR333和工作頻率為200MHz的DDR400正常工作(注意此時其CPU外頻133MHz與DDR400的工作頻率200MHz已經相差66MHz了)，隻不過搭配不同的內存其效能有差異罷了。再次，在CPU超頻的情況下，為了不使內存拖CPU超頻能力的後腿，此時可以調低內存的工作頻率以便於超頻，例如AMD的Socket939介麵的Opteron144非常容易超頻，不少產品的外頻都可以輕鬆超上300MHz，而此如果在內存同步的工作模式下，此時內存的等效頻率將高達DDR600，這顯然是不可能的，為了順利超上300MHz外頻，我們可以在超頻前在主機板BIOS中把內存設置為DDR333或DDR266，在超上300MHz外頻之後，前者也不過才DDR500(某些極品內存可以達到)，而後者更是隻有DDR400(完全是正常的標準頻率)，由此可見，正確設置內存異步模式有助於超頻成功。\\n\\n目前的主機板晶片組幾乎都支援內存異步，英特爾公司從810係列到目前較新的875係列都支援，而威盛公司則從693晶片組以後全部都提供了此功能。\\n\\n內存-發展簡史\\n\\n內存發展簡史\\n\\n起初，電腦所使用的內存是一塊塊的IC，我們必須把它們焊接到主機板上才能正常使用，一旦某一塊內存IC壞了，必須焊下來才能更換，這實在是太費勁了。後來，電腦設計人員發明瞭模塊化的條裝內存，每一條上整合了多塊內存IC，相應地，在主機板上設計了內存插槽，這樣，內存條就可隨意拆卸了，從此，內存的維修和擴充都變得非常方便。\\n\\n根據內存條上的引腳多少，我們可以把內存條分為30線、72線、168線等幾種。30線與72線的內存條又稱為單列存儲器模塊SIMM，168線的內存條又稱為雙列存儲器模塊DIMM。目前30線內存條已經冇有了；前兩年的流行品種是72線的內存條，其容量一般有4兆、8兆、16兆和32兆等幾種；目前市場的主流品種是168線內存條，168線內存條的容量一般有16兆、32兆、64兆、128兆等幾種，一般的電腦插一條就OK了，不過，隻有基於VX、TX、BX晶片組的主機板才支援168線的內存條。現如今，最流行的應屬184線的內存條了。\\n\\n內存的效能指標\\n\\n內存的效能指標\\n\\n評價內存條的效能指標一共有四個：\\n\\n(1)存儲容量：即一根內存條可以容納的二進製資訊量，如目前常用的168線內存條的存儲容量一般多為32兆、64兆和128兆。而DDRII3普遍為1GB到2GB。\\n\\n(2)存取速度（存儲週期）：即兩次獨立的存取操作之間所需的最短時間，又稱為存儲週期，半導體存儲器的存取週期一般為60納秒至100納秒。\\n\\n(3)存儲器的可靠性：存儲器的可靠性用平均故障間隔時間來衡量，可以理解為兩次故障之間的平均時間間隔。\\n\\n(4)效能價格比：效能主要包括存儲器容量、存儲週期和可靠性三項內容，效能價格比是一個綜合性指標，對於不同的存儲器有不同的要求。\\n\\n內存品牌大全\\n\\n按字母查詢品牌\\n\\nAApacer（宇瞻）\\n\\nBBIAOXING（標星）\\n\\nCCorsair（海盜船）Chaintech（華東承啟）\\n\\nEelixir（南亞易勝）\\n\\nF富豪\\n\\nGGEIL（金邦科技）G.SKILL（芝奇）GoldenMars（勁芯）\\n\\nHHynix（現代）Honnex（宏連）\\n\\nJRamax（記憶數碼）KingYi（金億）\\n\\nKKingston（金士頓）KINGBOX（黑金剛）KINGTIGER（金泰克）KINGMAX（勝創）KINGXCON（金士剛）Kintell（金特爾）\\n\\nLleadmax（超勝科技）\\n\\nMMAKWAY（邁威）\\n\\nNNCP\\n\\nOOCZ\\n\\nPPatriot（博帝）PNYPQI（勁永）\\n\\nRRamsta（瑞勢）RAMOS（藍魔）\\n\\nSSamsung（三星）燊能上風\\n\\nTTranscend（創見）Team（十銓科技）TPOS\\n\\nW威剛\\n\\nX鑫龍芯\\n\\nY億能\\n\\n內存條品牌的選購內存條品牌的選購\\n\\n現在常見的內存條品牌有以下幾種，這裡主要給大家參考\\n\\n現代（HY）\\n\\n個人認為，原廠現代和三星內存是目前相容性和穩定性最好的內存條，其比許多廣告吹得生猛的內存條要來得實在得多，此外，現代\\\"Hynix（更專業的稱呼是海力士半導體HynixSemiconductorInc.）\\\"的D43等顆粒也是目前很多高頻內存所普遍采用的內存晶片。目前，市場上超值的現代高頻條有現代原廠DDR500內存，采用了TSOP封裝的HY5DU56822CT-D5內存晶片，其性價比很不錯。\\n\\n金士頓（Kingston）\\n\\n作為世界第一大內存生產廠商的Kingston，其金士頓內存產品在進入中國市場以來，就憑藉優秀的產品質量和一流的售後服務，贏得了眾多中國消費者的心。\\n\\n不過Kingston雖然作為世界第一大內存生產廠商，然而Kingston品牌的內存產品，其使用的內存顆粒確是五花八門，既有Kingston自己顆粒的產品，更多的則是現代（Hynix）、三星（Samsung）、南亞（Nanya）、華邦（Winbond）、英飛淩（Infinoen）、美光（Micron）等等眾多廠商的內存顆粒。\\n\\nKingston的高頻內存有采用\\\"Hynix\\\"D43顆粒和Winbond的內存顆粒的金士頓DDR400、DDR433-DDR500內存等，其分屬ValueRam係列（經濟型）和HyperX係列。\\n\\nKingston的ValueRam係列，價格與普通的DDR400一樣，但其可以超頻到DDR500使用。而Kingston的HyperX係列其超頻性也不錯，Kingston500MHz的HyperX超頻內存（HyperXPC4000）有容量256MB、512MB單片包裝與容量512MB與1GB雙片的包裝上市，其電壓為2.6伏特，采用鋁製散熱片加強散熱，使用三星K4H560838E-TCCC晶片，在DDR400下的CAS值為2.5，DDR500下的CAS值為3，所以效能也一般。\\n\\n利屏\\n\\n利屏是進來新近崛起的一個內存新秀。利屏科技（深圳）有限公司總部設在美國西部風景如畫的世界高科技重鎮舊金山。公司致力於研發、生產和銷售利屏LPT極限高階內存條產品。公司擁有一支技術過硬的產品研發團隊和足跡遍及中、外的專業銷售隊伍。產品深受廣大遊戲玩家和超頻愛好者的喜愛。同時被冠以“超頻之神”的美譽。\\n\\n“利屏”眼鏡蛇DDR400係列內存也是專門為追求效能的玩家所設計，它采用的也是D43的顆粒，但是時序更高，為了加強散熱更是加上了金屬散熱片，其超頻能力相當強勁，在加0.1V左右的電壓下可以超頻到DDR520。而利屏的DDR466內存，它采用的是編號為K4H560838E-TCCC的三星顆粒，運行在DDR466的時候內存時序為3-4-4-8，但其256MB容量接近500元的報價就顯得太高了。\\n\\n而利屏的高階極限內存DDR560，提供單片256MB和512MB包裝，同時雙片裝的512MB和1024MB支援雙通道架構，每條內存的表麵均有銅質散熱片進行散熱及確保運行的穩定性，其CAS值均為3，隻能說剛好能用而已。\\n\\n勤茂（TwinMOS）\\n\\n勤茂（TwinMOS）CAS為2的DDR433內存，采用CSP技術封裝—這款，勤茂DDR433內存的CASLatency控製在2，BurstLength控製在2、4、8，效能指數不錯。此外，內存外麪包裹著金黃色內存罩，能起到散熱和遮蔽的作用，內存顆粒與散熱片之間則填充了導熱的墊片。價格在350元左右，其可超性也不含糊，性價比不錯。\\n\\n勝創（Kingmax）\\n\\n成立於1989年的勝創科技有限公司是一家名列中國台灣省前200強的生產企業（CommonwealthMagazine，May2000），同時也是內存模組的引領生產廠商。\\n\\n通過嚴格的質量控製和完善的研發實力，勝創科技獲得了ISO-9001證書，同時和IT行業中最優秀的企業建立了合作夥伴關係。公司以不斷創新的設計工藝和追求完美的信念生產出了高效能的尖端科技產品，不斷向移動計算領域提供價廉物美的最出色的內存模組。\\n\\n在SDRAM時期，Kingmax就曾成功的建造了PC150帝國，開啟了內存產品的高速時代，也奠定了Kingmax在內存領域領先的地位。而今DDR來了，從266到300，再到現在的500，Kingmax始終保持著領先的位置，繼續引領著內存發展的方向。說到KingMax內存，就不能不說到它獨特的“TinyBGA”封裝技術專利——作為全球領先的DRAM生產廠商，勝創科技在1997年宣佈了第一款基於TinyBGA封裝技術的內存模組，這項屢獲殊榮的封裝技術能以同樣的體積大小封裝3倍於普通技術所達到的內存容量。同時，勝創科技還研製了為高階服務器和工作站應用設計的1GBStackBGA模組、為DDR應用設計的FBGA模組以及為RambusRIMM應用設計的速度高達1.6GB\\/秒的flip-chipBGA\\/DCA模組。\\n\\nKingmax勝創推出的低價版的DDR433內存產品，該產品采用傳統的TSOP封裝內存晶片，工作頻率433MHz。Kingmax推出的這個SuperRamPC3500係列的售價和PC3200處於同一檔次，這為那些熱衷超頻又手頭不寬裕的用戶提供了一個不錯的選擇。此外，Kingmax也推出了CL-3的DDR500內存產品，其效能和其它廠家的同類產品大同小異。\\n\\n海盜船（Corsair）\\n\\nCorsair（海盜船）是一家較有特點的內存品牌，其內存條都包裹著一層黑色金屬外殼，這層金屬殼緊貼在內存顆粒上，一方麵可以遮蔽其他的電磁乾擾。其代表產品如CorsairTwinXPC3200（CMX512-3200XL）內存，其在DDR400下，可以穩定運行在CL2-2-2-5-T1下，將潛伏期和尋址時間縮短為原來的一半，這款內存並不比一些DDR500產品差，而且Corsair為這種內存提供終身保修。\\n\\n而CorsairDDR500內存采用Hynix晶片，這款XMS4000能穩定運行在DDR500，並且可以超頻到DDR530，在DDR500下其CAS值為2.5，效能還算不錯。\\n\\n宇瞻（Apacer）\\n\\n在內存市場，Apacer一直以來都有著較好的聲譽，其SDRAM時代的WBGA封裝也響徹一時，在DDR內存上也樹立了良好形象。宇瞻科技隸屬宏碁集團，實力非常雄厚。初期專注於內存模組行銷，並已經成為全球前四大內存模組供應商之一。據權威人士透露，在國際上，宇瞻的品牌知名度以及產品銷量與目在前國內排名第一的品牌持平甚至超過，之所以在國內目前冇有坐到龍頭位置，是因為宇瞻對於品牌宣傳一直比較低調，精力更多投入到產品研發生產而不是品牌推廣當中。\\n\\n最近，宇瞻相應推出的\\\"宇瞻金牌內存\\\"係列。宇瞻金牌內存產品線特彆為追求高穩定性、高相容性的內存用戶而設計。宇瞻金牌內存堅持使用100%原廠測試顆粒（決不使用OEM顆粒）是基於現有最新的DDR內存技術標準設計而成，經過ISO9002認證之工廠完整流程生產製造。采用20微米金手指高品質6層PCB板，每條內存都覆蓋有美觀精質的黃金色金屬銘牌，而且通過了最高階的Advantest測試係統檢測後，采用高速**T機台打造，經過高低壓、高低溫、長時間的密封式空間嚴苛測試，並經過全球知名係統及主機板大廠完全相容性測試，品質與相容性都得到最大限度的保證。\\n\\n宇瞻的DDR500內存（PC4000內存）采用金黃色的散熱片和綠色的PCB板搭配。金屬散熱片的材質相當不錯，在手中有種沉甸甸的感覺，為了防止氧化，其表麵被鍍成了金色。內存顆粒方麵，這款內存采用了三星的內存顆粒，具體型號為：K4H560838E-TCC5，為32Mx8規格DDR466@CL=3的TSOPII封裝顆粒，標準工作電壓2.6V -0.1V，標準運行時序CL-tRCD-tRP為3-4-4。在DDR500下其CL值為3，效能將就。\\n\\n金邦（Geil）\\n\\n金邦科技股份有限公司是世界上專業的內存模塊製造商之一。全球第一家也是唯一家以漢字註冊的內存品牌，並以中文命名的產品\\\"金邦金條\\\"、\\\"千禧條GL2000\\\"迅速進入國內市場，在極短的時間內達到行業銷量遙遙領先。第一支\\\"量身訂做，終身保固\\\"記憶體模組的內存品牌，首推\\\"量身訂做\\\"係列產品，使計算機進入最優化狀態。在聯合電子設備工程委員會JEDEC尚未通過DDR400標準的情況下，率先推出第一支\\\"DDR400\\\"併成功於美國上市。\\n\\n金邦高效能、高品質和高可靠性的內存產品，引起業界和傳媒的廣泛關注。在過去幾年中，金邦內存多次榮獲國內權威雜誌評為讀者首選品牌和編輯選擇獎，穩奪國內存儲器市場占有率三強。\\n\\n金邦的GeilPlatinum係列的DDR500內存（PC4000），采用TSOPII封裝，使用了純銅內存散熱片，可較妥善的解決內存的散熱問題。采用六層低電磁乾擾PCB板設計；單條容量256MB，在內存晶片上做了整體打磨並上打上了Geil的印記，\\\"號稱\\\"使用了4ns的內存晶片，但仍可以看出其是采用Hynix的內存顆粒。額定工作頻率可達500MHz，在內存參數方麵這是默認為CL3，可達CL2.5。除此而外，其還有金條PC4200（DDR533）等款產品。\\n\\n威剛（ADATA）\\n\\n威剛的高頻內存有DDR450、460、500等。AdataDDR500是一款價格適宜的DDR500產品，CAS值為3，其冇有使用散熱片，在晶片上的標簽顯示了AdataID號。\\n\\n八。圖解內存的分類和命名方法\\n\\n內存命名方法\\n\\n內存命名方法\\n\\n內存命名方法\\n\\n內存命名方法\\n\\n昱聯Asint\\n\\nASint記憶體顆粒從日係大廠爾必達(Elpida)嚴格的Burn-In(燒機)測試中，嚴選出通過Intel(英特爾)認證的特A級顆粒。\\n\\nASint記憶體模組針對超頻速度及超頻後的穩定度加以調適SPD，在提高記憶體效能與頻率的極限值時，同時保有極佳相容性與高穩定度。重新解釋係統DRAM的角色，並且加強其他係統元件表現，低電壓高效能是ASint記憶體的一大特點。\\n\\nASint記憶體，聖殿騎士係列采用8層高壓密集雷射電路板，用料佈局整齊符合JEDEC規範，精細焊點與電鍍金手指，有效提高抗氧化性。微型電容和綿密電阻皆經過嚴格認證，有效減少外來信號的乾擾。載入濾波電路設計，濾除電磁雜波，增強抗擾能力。\\n\\nASint昱聯科技源自矽統科技(SIS)晶片組的優異技術與測試平台，通過Intel官方指定認證機構(AVL)與JEDEC之認證。\\n\\nASint記憶體為確保整個係統的穩定與記憶體能長時間的運作，模組出廠皆經72hr的穩定性滿載(Full-Loading)燒機測試與驗證。\\n\\n在愈來愈重視環保議題的社會，歐盟推出物質產品出貨皆需符合綠色規範。ASint對此更是不遺餘力，堅持以無鉛(LeadFree)BGA封裝來製造符合RoHS的「環保導向」的「綠色」產品，為這環保綠色地球儘一份心力！\\n\\nASint記憶體與INTEL\\/AMD兩大平台之間的相容性，符合全球一線品牌電腦商的工規要求。除了業界標準測試程式(Memtest\\/RST)與雙通道測試外，出廠前還經高階遊戲測試軟體(GoldenMemory)篩選，提供高階3D遊戲大賽解決方案。\\n\\n選購內存條時除了要考慮前麵介紹的引腳數、容量和存取速度之外，還要考慮以下幾個因素：\\n\\n(1)奇偶性\\n\\n為了保證內存存取數據的的準確性，有些內存條上有奇偶校驗位，如3片或9片裝的內存條。如果您對電腦運行的準確性要求很高，最好選擇有奇偶校驗功能的內存條。\\n\\n(2)價格\\n\\n雖然現在的內存條和以前相比，價格已經大幅下降，但不同的品牌和效能，價格還是有一些差彆，您可根據自己的需要和預算情況選擇適合自己的價位。另外，購買內存時您還須注意品牌和質量，目前，生產內存的廠家較多，質量較為可靠的品牌有：韓國LG、金士頓，日本的東芝、日本精工、日本電氣公司、日本鬆下。\\n\\n內存在電腦中起著舉足輕重的作用。內存一般采用半導體存儲單元，包括隨機存儲器（RAM），隻讀存儲器（ROM），以及高速緩存（CACHE）。隻不過因為RAM是其中最重要的存儲器。\\n\\n通常所說的內存即指電腦係統中的RAM。\\n\\n內存條常見問題及其解決辦法\\n\\n相信眾多朋友在使用電腦時，總會遇到這樣或那樣的各種問題。如啟動電腦卻無法正常啟動、無法進入操作係統或是運行應用軟件，無故經常死機等故障時，這些問題的產生常會因為內存出現異常故障而導致操作失敗。這是因為內存做為電腦中三大件配件之一，主要擔負著數據的臨時存取任務。而市場上內存條的質量又參差不齊，所以它發生故障的機率比較大。現為解決這些內存常見問題，小編給您支招，希望可以對您有所幫助。\\n\\n內存出現問題一部分是因為升級內存，但由於內存種類的不匹配，往往會遇到一些麻煩，具體出現的內存問題及支招如下。\\n\\n1、無法正常開機\\n\\n支招：遇到這類現象主要有三個解決的途徑：第一，更換內存的位置，這是最為簡單也是最為常用的一種方法，一般是把低速的老內存插在靠前的位置上。第二，在基本能開機的前提下，進入BIOS設置，將與內存有關的設置項依照低速內存的規格設置。比如：使用其中的一根內存（如果是DDR333和DDR400的內存混合使用，最好使用DDR333的內存），將計算機啟動，進入BIOS設置，將內存的工作頻率及反應時間調慢，以老內存可以穩定運行為準，方可關機插入第二根內存。\\n\\n2、計算機運行不穩定\\n\\n支招：遇到這類問題的出現主要是內存相容性造成的，解決的基本思路是與上麵大體相同。第一，更換內存的位置。第二，在BIOS中關閉內存由SPD自動配置的選項，改為手動配置。第三，如果主機板帶有I\\/O電壓調節功能，可將電壓適當調高，加強內存的穩定性。\\n\\n3、混插後內存容量識彆不正確\\n\\n支招：造成這種現象的原因，第一種可能是主機板晶片組自身的原因所造成的，一些老主機板隻支援256MB內存的容量（i815係列隻支援512MB），超出的部分，均不能識彆和使用。當然還有一些情況是由於主機板無法支援高位內存顆粒造成的，解決這類問題的惟一方法就是更換主機板或者內存。另外在一些情況下通過調整內存的插入順序也可以解決此問題。\\n\\n內存混插不穩定的問題是一個老問題了。麵對這種情況，筆者建議您在選購內存條時，要選擇象金士頓、金泰克這些高品質內存，因為它們的電氣相容性及穩定性都比較出色，出現問題的機率要低一些，並且售後也都有保障。\\n\\n另一部分是因為內存在使用過程中，金手指與主機板的插槽接觸不良引起或者是中了病毒等原因引起的問題，具體出現的內存問題及支招如下。\\n\\n4、電腦無法正常啟動，打開電腦主機電源後機箱報警喇叭出現長時間的短聲鳴叫，或是打開主機電源後電腦可以啟動但無法正常進入操作係統，螢幕出現\\\"Error:UnabletoControlA20Line\\\"的錯誤資訊後並死機。\\n\\n支招：出現上麵故障多數是由於內存於主機板的插槽接觸不良引起。處理方法是打開機箱後拔出內存，用酒精和乾淨的紙巾對擦試內存的金手指和內存插槽，並檢查內存插槽是否有損壞的跡象，擦試檢查結束後將內存重新插入，一般情況下問題都可以解決，如果還是無法開機則將內存拔出插入另外一條內存插槽中測試，如果此時問題仍存在，則說明內存已經損壞，此時隻能更換新的內存條。\\n\\n5、開機後顯示如下資訊:“ONBOARDPARLTYERROR”。\\n\\n支招：出麵這類現象可能的原因有三種，第一，CMOS中奇偶較驗被設為有效，而內存條上無奇偶較驗位。第二，主機板上的奇偶較驗電路有故障。第三，內存條有損壞，或接觸不良。處理方法，首先檢查CMOS中的有關項，然後重新插一下內存條試一試，如故障仍不能消失，則是主機板上的奇偶較驗電路有故障，換主機板。\\n\\n6．Windows係統中運行DOS狀態下的應用軟件(如DOS下運行的遊戲軟件等)時出現黑屏、花屏、死機現象。\\n\\n支招：出現這種故障一般情況是由於軟件之間分配、占用內存衝突所造成的，一般表現為黑屏、花屏、死機，解決的最好方法是退出windows操作係統，在純DOS狀態下運行這些程式。\\n\\n7．Windows運行速度明顯變慢，係統出現許多有關內存出錯的提示。\\n\\n支招：出現這類故障一般是由於在windows下運行的應用程式非法訪問內存、內存中駐留了太多不必要的外掛、應用程式、活動視窗打開太多、應用程式相關配置檔案不合理等原因均可以使係統的速度變慢，更嚴重的甚至出現死機。這種故障的解決必須采用清除一些非法外掛（如3721）、內存駐留程式、減少活動視窗和調整配置檔案(INI)等，如果在運行某一程式時出現速度明顯變慢，那麼可以通過重裝應用程式的方法來解決，如果在運行任何應用軟件或程式時都出現係統變慢的情況，那麼最好的方法便是重新安裝操作係統。\\n\\n8．內存被病毒程式感染後駐留內存中，CMOS參數中內存值的大小被病毒修改，導致內存值與內存條實際內存大小不符，在使用時出現速度變慢、係統死機等現象。\\n\\n支招：先采用最新的殺毒軟件對係統進行全麵的殺毒處理，徹底清理係統中的所以病毒。由於CMOS中已經被病毒感染，因此可以通過對CMOS進行放電處理後恢複其默認值。方法是先將CMOS短接放電，重新啟動機器，進入CMOS後仔細檢查各項硬體參數，正確設置有關內存的參數值。\\n\\n9．電腦升級進行內存擴充，選擇了與主機板不相容的內存條。\\n\\n支招：在升級電腦的內存條之前一定要認真檢視主機板使用說明，如果主機板不支援512M以上大容量內存，即使升級後也無法正常使用。如果主機板支援，但由於主機板的相容性不好而導致的問題，那麼可以升級主機板的BIOS，看看是否能解決相容問題。\\n\\n\"

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